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型号: 2SC4672
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内容描述: 低频晶体管 [Low Frequency Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 54 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
低频晶体管
2SC4672
晶体管
特点
低饱和电压,通常V
CE (SAT)
=我在0.1V
C
/I
B
= 1A / 50毫安。
优良的直流电流增益特性。
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
(脉冲) *
1
P
C
P
C
*
2
T
j
T
英镑
等级
60
50
6
3
6
0.5
2
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
W
集电极耗散功率
结温
储存温度
* 1 。单脉冲, PW = 10毫秒
*2. 40X40X
t
0.7毫米陶瓷板
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输出电容
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
I
C
=50ìA
I
C
=1mA
I
E
=50ìA
V
CB
=60V
V
EB
=5V
V
CE
=2V,I
C
=0.5A
V
CE
=2V,I
C
=1.5A
V
CE ( SAT )
I
C
=1A,I
B
=50mA
C
ob
f
T
V
CB
= 10V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
V
CE
= 2V ,我
E
= -0.5A , F = 100MHz的
82
45
0.13
25
210
0.35
V
pF
兆赫
Testconditons
60
50
6
0.1
0.1
390
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
h
FE
分类
记号
h
FE
DKP
P
82 180
DKQ
Q
120 270
DKR
R
180 390
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1