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型号: 2SC5585
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内容描述: 低频晶体管 [Low Frequency Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 36 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
低频晶体管
2SC5585
晶体管
SOT-523
+0.1
1.6
-0.1
+0.1
1.0
-0.1
+0.05
0.2
-0.05
单位:mm
+0.01
0.1
-0.01
2
1
+0.15
1.6
-0.15
低V
CE ( SAT )
:V
CE ( SAT )
为250mV ,在我
C
=200mA/I
B
=10mA
3
+0.25
0.3
-0.05
+0.1
0.5
-0.1
0.35
1.基地
+0.05
0.75
-0.05
+0.1
-0.1
0.8
2.辐射源
3.集气
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
T
英镑
等级
15
12
6
500
150
150
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
Collectoe极 - 发射极电压brakdown
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
集电极输出电容
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
c
ob
f
T
I
C
= 10
I
C
= 1毫安
I
E
= 10
A
A
Testconditons
15
12
6
100
100
270
90
7.5
320
680
250
mV
pF
兆赫
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
V
CB
=15 V
V
EB
= 6 V
V
CE
= 2 V,I
C
= 10毫安
I
C
=200mA,I
B
=10mA
V
CB
=10V,I
E
=0,f=1MHz
V
CE
= 2V ,我
E
=-10mA,f=100MHz
记号
记号
BX
+0.05
0.8
-0.05
HIG电流。
0.55
特点
www.kexin.com.cn
1