2SD1033 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SD1033
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内容描述：	硅NPN外延型晶体管 [Silicon NPN Epitaxial Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	1 页 / 39 K
品牌：	KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]

SMD型

硅NPN外延型晶体管

2SD1033

TO-252

+0.15

1.50

-0.15

晶体管

单位：mm

2.30

+0.8

0.50

-0.7

+0.1

-0.1

6.50

+0.2

5.30

-0.2

+0.15

-0.15

特点

高电压V

首席执行官

=150V

+0.2

9.70

-0.2

+0.15

0.50

-0.15

+0.15

5.55

-0.15

+0.1

0.80

-0.1

0.127

最大

2.3

4.60

+0.15

-0.15

+0.1

0.60

-0.1

+0.28

1.50

-0.1

+0.25

2.65

-0.1

1 BASE

2个集热器

3发射器

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

峰值集电极电流* 1

集电极电流

集电极耗散功率大= 25

结温

储存温度

* PW

为10ms ，占空比50 ％

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

200

150

-55到+150

单位

* 2当安装在7.5厘米的陶瓷基片

X0.7mm

电气特性TA = 25

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益*

集电极饱和电压*

增益饱和电压

* PW

350ìs ，占空比2％

符号

CBO

EBO

CE （ SAT ）

Testconditons

= 150V ，我

= 0

= 4V,

= 0

=10V,I

=0.4A

= 500毫安，我

= 0.4A

=10V,I

=0.4A

100

0.2

民

典型值

最大

200

1.0

兆赫

单位

ìA

分类

记号

的hFE

40至80

60至120

100至200

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