2SD1119 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SD1119
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内容描述：	NPN硅外延平面型 [Silicon NPN epitaxial planar type]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	1 页 / 50 K
品牌：	KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]

SMD型

NPN硅外延平面型

2SD1119

晶体管

特点

低集电极 - 发射极饱和电压V

CE （SAT）。

以高效率提供满意的运行性能

在低压电源。

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

150

-55到+150

单位

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极 - 基极截止电流

正向电流传输比

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

符号

首席执行官

EBO

CBO

Testconditons

= 1毫安，我

= 0

= 10 μA ，我

= 0

= 10 V，I

= 0

= 2 V，I

= 0.5 A

= 2 V，I

= 2 A

CE （ SAT ）

= 3 A，I

= 0.1 A

= 6 V，I

= -50毫安， F = 200 MHz的

= 20 V，I

= 0中，f = 1 MHz的

150

230

150

兆赫

民

0.1

600

典型值

最大

单位

ìA

分类

记号

秩

230 380

340 600

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