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型号: 2SD1614
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内容描述: NPN硅外延型晶体管 [NPN Silicon Epitaxial Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 51 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
NPN硅外延型晶体管
2SD1614
晶体管
特点
世界标准小型封装。
高直流电流增益。
低V
CE ( SAT )
.
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲) *
总功耗
结温
储存温度
*脉冲试验PW
为10ms ,占空比
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
P
T
T
j
T
英镑
50%.
等级
40
20
6
2
3
2.0
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
集电极饱和电压*
基本饱和电压*
基极 - 发射极电压*
增益带宽积
输出电容
*脉冲: PW
350 ,占空比
2%
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
Testconditons
V
CB
= 30 V,I
E
= 0 A
V
EB
= 6.0 V,I
C
= 0 A
V
CE
= 2.0 V,I
C
= 100毫安
135
350
0.3
0.95
650
680
200
28
典型值
最大
100
100
600
0.5
1.2
750
V
V
mV
兆赫
pF
单位
nA
nA
V
CE ( SAT )
I
C
= 2 A,I
B
= 50毫安
V
BE ( SAT )
I
C
= 2 A,I
B
= 50毫安
V
BE
f
T
C
ob
V
CE
= 6.0 V,I
C
= 100毫安
V
CE
= 10 V,I
E
= -50毫安
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1.0兆赫
h
FE
分类
记号
的hFE
XM
135 270
XL
200 400
XK
300 600
www.kexin.com.cn
1