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    2SD1817 参数 Datasheet PDF下载

    2SD1817图片预览
    型号： 2SD1817
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN外延平面硅晶体管 [NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 1 页 / 41 K
    品牌： KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
       
    SMD型
    晶体管
    NPN外延平面硅晶体管
    2SD1817
    TO-252
    +0.15
    1.50
    -0.15
    单位：mm
    2.30
    +0.8
    0.50
    -0.7
    +0.1
    -0.1
    特点
    高直流电流增益。
    +0.2
    9.70
    -0.2
    6.50
    +0.2
    5.30
    -0.2
    +0.15
    -0.15
    +0.1
    0.80
    -0.1
    +0.15
    0.50
    -0.15
    0.127
    最大
    电气连接
    2.3
    4.60
    +0.15
    -0.15
    +0.1
    0.60
    -0.1
    +0.28
    1.50
    -0.1
    +0.25
    2.65
    -0.1
    +0.15
    5.55
    -0.15
    1 BASE
    2个集热器
    3发射器
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极电流（脉冲）
    集电极耗散
    T
    a
    = 25
    Jumction温度
    储存温度
    T
    j
    T
    英镑
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    等级
    80
    60
    6
    3
    6
    1
    15
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    W
    电气特性TA = 25
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基极 - 发射极饱和电压
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    符号
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    Testconditons
    V
    CB
    = 60V ，我
    E
    = 0
    V
    EB
    = 5V ，我
    C
    = 0
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    = 1A
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    = 2A
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    = 2A ，我
    B
    = 4毫安
    V
    BE （ SAT ）
    I
    C
    = 2A ，我
    B
    = 4毫安
    V
    （ BR ） CBO
    I
    C
    = 1mA时，我
    E
    = 0
    V
    （ BR ） CEO
    I
    C
    = 25毫安，R
    BE
    =
    80
    60
    2000
    1000
    1.5
    2.0
    V
    V
    V
    V
    民
    典型值
    最大
    10
    2.5
    单位
    ìA
    mA
    3
    .8
    0
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    1

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