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型号: 2SD1898
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内容描述: 功率晶体管 [Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 51 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
功率晶体管
2SD1898
晶体管
特点
高V
首席执行官
, V
首席执行官
=80V .
高I
C
, I
C
= 1A(直流) 。
好ħ
FE
线性度。
低V
CE (SAT)
.
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
(脉冲) *
1
P
C
P
C
*
2
T
j
T
英镑
等级
120
80
5
1
2
0.5
2
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
W
集电极耗散功率
结温
储存温度
* 1 。 PW = 20毫秒。
* 2 。 40X40X0.7mm陶瓷板。
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
I
C
=50ìA
I
C
=1mA
I
E
=50ìA
V
CB
=100V
V
EB
=4V
V
CE
=3V,I
C
=0.5A
82
0.15
100
20
Testconditons
120
80
5
1
1
390
0.4
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
V
CE ( SAT )
I
C
=500mA,I
B
=20mA
f
T
C
ob
V
CE
= 10V ,我
E
= -50mA , F = 100MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
h
FE
分类
记号
h
FE
P
82 180
DF
Q
120 270
R
180 390
www.kexin.com.cn
1