欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SD1918 参数 Datasheet PDF下载

2SD1918图片预览
型号: 2SD1918
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅外延 [Silicon NPN Epitaxial]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 40 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
NPN硅外延
2SD1918
TO-252
晶体管
单位:mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
特点
高击穿电压。 (乙
VCEO
= 160V)
低集电极输出capacitance.Typ 。 20pF的在V
CB
= 10V
+0.2
9.70
-0.2
+0.15
1.50
-0.15
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
高转换频率(F
T
= 80MHz的)
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
T
C
= 25
结温
储存温度
* PW = 200毫秒占空比= 1 /
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
等级
160
160
5
1.5
3
P
C
1
10
150
-55到+150
单位
V
V
V
A( DC )
A(脉冲) *
W
W
电气特性TA = 25
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极到发射极饱和电压*
基极 - 射极电压*
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
*采用脉冲电流测量。
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
h
FE
f
T
C
ob
I
C
= 50ìA
I
C
= 1毫安
I
E
= 50ìA
V
CB
= 120V
V
EB
= 4V
I
C
/I
B
= 1A/0.1A
I
C
/I
B
= 1A/0.1A
V
CE
/I
C
= 5V / 0.1A
V
CE
= 5V ,我
E
= -0.1A , F = 30MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
120
80
20
Testconditons
160
160
5
1
1
2
1.5
390
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
V
V
h
FE
分类
的hFE
Q
120至270
R
180〜 390
3
.8
0
www.kexin.com.cn
1