2SD1950 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SD1950
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内容描述：	NPN硅Epitaxia [NPN Silicon Epitaxia]
分类和应用：	晶体晶体管开关
文件页数/大小：	1 页 / 51 K
品牌：	KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]

SMD型

NPN硅Epitaxia

2SD1950

晶体管

特点

高直流电流增益和良好的ħ

低集电极饱和电压。

高V

EBO

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流（脉冲） *

总功耗

结温

储存温度

* PW

为10ms ，占空比

50%

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

150

-55到+150

单位

电气特性TA = 25

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益*

集电极饱和电压

基本饱和电压

基极 - 射极电压*

增益带宽积

输出电容

*脉冲： PW

350 ，占空比

符号

CBO

EBO

Testconditons

= 30 V，I

= 0

= 10 V，I

= 0

= 5.0 V，I

= 1.0 A

= 5.0 V，I

= 2.0 A

CE （ SAT ）

= 1 A，I

= 10毫安

BE （ SAT ）

= 1 A，I

= 10毫安

= 5.0 V，I

= 300毫安

= 10 V，I

= -500毫安

= 10 V，I

= 0中，f = 1.0兆赫

600

150

800

400

0.18

0.83

660

350

0.3

1.2

700

兆赫

1500

民

典型值

最大

100

3200

单位

分类

记号

的hFE

800 1600

1200 2400

2000 3200

www.kexin.com.cn

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