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型号: 2SD2153
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内容描述: 高增益放大器晶体管 [High Gain Amplifier Transistor]
分类和应用: 晶体放大器晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 36 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
高增益放大器晶体管
2SD2153
SOT-89
晶体管
单位:mm
+0.1
1.50
-0.1
特点
低饱和电压。
优良的直流电流增益特性。
+0.1
4.50
-0.1
+0.1
1.80
-0.1
+0.1
2.50
-0.1
1
+0.1
0.48
-0.1
2
3
+0.1
0.80
-0.1
+0.1
0.53
-0.1
+0.1
0.44
-0.1
+0.1
2.60
-0.1
+0.1
4.00
-0.1
+0.1
3.00
-0.1
+0.1
0.40
-0.1
1.基地
2.收集
3. Emiitter
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
T
英镑
等级
30
25
6
2
0.5
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
输出电容
跃迁频率
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
I
C
=50ìA
I
C
=1mA
I
E
=50ìA
V
CB
=20V
V
EB
=5V
0.12
560
110
22
Testconditons
30
25
6
0.5
0.5
0.5
2700
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
V
V
CE ( SAT )
I
C
= 1A ,我
B
=20mA
h
FE
f
T
C
ob
V
CE
= 6V ,我
C
=0.5A
V
CE
= 10V ,我
E
= -10mA , F = 100MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
h
FE
分类
记号
的hFE
U
560 1200
DN
V
820 1800
W
1200 2700
www.kexin.com.cn
1