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型号: 2SD2351
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内容描述: 通用晶体管 [General Purpose Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 46 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
通用晶体管
2SD2351
特点
高直流电流增益。
高发射极 - 基极电压。 (V
CBO
=12V)
低饱和电压。
(典型值V
CE ( SAT )
=我在0.3V
C
/I
B
=50mA/5mA)
晶体管
IC
1辐射源
2基地
3收藏家
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
*单脉冲Pw = 100毫秒。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
T
英镑
等级
60
50
12
0.15
0.2
0.2
150
-55到+150
单位
V
V
V
A( DC )
A(脉冲) *
W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
输出电容
跃迁频率
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
I
C
=10ìA
I
C
=1mA
I
E
=10ìA
V
CB
=50V
V
EB
=12V
Testconditons
60
50
12
0.3
0.3
0.3
820
250
3.5
2700
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
V
V
CE ( SAT )
I
C
/I
B
=50mA/5mA
h
FE
f
T
C
ob
V
CE
/I
C
=5V/1mA
V
CE
= 5V ,我
E
= -10mA , F = 100MHz的
V
CB
= 5V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
h
FE
分类
记号
h
FE
BJV
820 1800
BJW
1200 2700
www.kexin.com.cn
1