欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SD596 参数 Datasheet PDF下载

2SD596图片预览
型号: 2SD596
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅外延型晶体管 [NPN Silicon Epitaxial Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 1 页 / 38 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
NPN硅外延型晶体管
2SD596
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
IC
单位:mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
高直流电流增益。 hFE参数: 200TYP 。 (V
CE
= 1V ,我
C
=100mA)
+0.1
1.3
-0.1
微型封装。
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流( DC )
总功耗
结温
存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
30
25
5
700
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
基极 - 射极电压*
集电极饱和电压*
输出电容
增益带宽积
*脉冲: PW
350 ,占空比
2%
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
BE
Testconditons
V
CB
= 30 V,I
E
= 0
V
EB
= 5.0 V,I
C
= 0
V
CE
= 1.0 V,I
C
= 100毫安
V
CE
= 6.0 V,I
C
= 10毫安
110
600
200
640
0.22
12
170
典型值
最大
100
100
400
700
0.6
mV
V
pF
兆赫
单位
nA
nA
V
CE ( SAT )
I
C
= 700 mA时,我
B
= 70毫安
C
ob
f
T
V
CB
= 6.0 V,I
E
= 0中,f = 10MHz的
V
CE
= 6.0 V,I
E
= -10毫安
h
FE
分类
记号
h
FE
1
110 180
2
135 220
DV
3
170 270
4
200 320
5
250 400
0-0.1
www.kexin.com.cn
1