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型号: 2SJ185
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内容描述: MOS田间效应晶体管 [MOS Fied Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 1 页 / 45 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
MOS田间效应晶体管
2SJ185
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
MOSFET
单位:mm
+0.1
2.4
-0.1
没有必要考虑由于其高的驱动电流
输入阻抗。
可以通过省略偏置电阻,以减少部件的数量
+0.1
1.3
-0.1
直接通过具有3V POER电源IC驱动。
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
特点
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
1门
2.Emitter
2 SOURCE
3.collector
3漏
绝对最大额定值大= 25
参数
漏极至源极电压V
GS
=0
栅极至源极电压
漏电流( DC )
漏极电流(脉冲) *
功耗
工作温度
储存温度
* PW
10毫秒; ð
50%.
V
DS
=0
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
P
D
T
选择
T
英镑
等级
-50
7.0
100
200
200
-55到+80
-55到+150
单位
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
I
DSS
I
GSS
Testconditons
V
DS
=-50V,V
GS
=0
V
GS
=
7.0V,V
DS
=0
A
-1.2
20
-1.6
42
25
13
22
V
DS
=-3V,V
GS
=0,f=1MHZ
12
4
80
V
GS ( ON)
=-3V,R
G
=10
20毫安ř
L
=150
,V
DD
=-3V,I
D
=-
230
40
70
40
20
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
典型值
最大
-10
5
-2.0
单位
A
A
V
ms
V
GS ( OFF )
V
DS
=-3V,I
D
=-1
Y
fs
R
DS ( ON)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DS
=-3V,I
D
=-10mA
V
GS
=-2.5V,I
D
=-1mA
V
GS
=-4.0V,I
D
=-10mA
记号
记号
H12
0-0.1
www.kexin.com.cn
1