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型号: 2SJ197
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内容描述: MOS田间效应晶体管 [MOS Fied Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 47 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
MOS田间效应晶体管
2SJ197
SOT-89
+0.1
4.50
-0.1
MOSFET
单位:mm
+0.1
1.50
-0.1
特点
直接通过具有5V POER电源IC驱动。
具有低导通电阻
R
DS ( ON)
=1.5
R
DS ( ON)
=1.0
MAX @ V
GS
=-4.0V,I
D
=-0.5A
MAX @ V
GS
=-10V,I
D
=-0.5A
1.80
+0.1
-0.1
+0.1
2.50
-0.1
1
+0.1
0.48
-0.1
2
3
+0.1
0.80
-0.1
+0.1
0.53
-0.1
+0.1
0.44
-0.1
+0.1
2.60
-0.1
+0.1
4.00
-0.1
+0.1
3.00
-0.1
+0.1
0.40
-0.1
1.基地
1.源
2.收集
2.漏
3. Emiitter
3.门
1门
2漏
3源
绝对最大额定值大= 25
参数
漏极至源极电压V
GS
=0
栅极至源极电压
漏电流( DC )
漏极电流(脉冲) *
功耗
通道温度
储存温度
* PW
10毫秒; ð
50%.
V
DS
=0
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
P
D
T
ch
T
英镑
等级
-60
20
1.5
3.0
2.0
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
I
DSS
I
GSS
Testconditons
V
DS
=-60V,V
GS
=0
V
GS
=
20V,V
DS
=0
-1.0
0.4
-2.1
1.0
0.9
0.5
220
V
DS
=-10V,V
GS
=0,f=1MHZ
125
17
45
V
GS ( ON)
=-10V,R
G
=10
0.5A ř
L
=50
,V
DD
=-25V,I
D
=-
70
380
170
1.5
1.0
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
典型值
最大
-10
10
-3.0
单位
A
A
V
s
V
GS ( OFF )
V
DS
=-10V,I
D
=-1mA
Y
fs
R
DS ( ON)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DS
=-10V,I
D
=-0.5A
V
GS
=-4V,I
D
=-0.5A
V
GS
=-10V,I
D
=-0.5A
记号
记号
PB
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