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2SJ206图片预览
型号: 2SJ206
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内容描述: MOS田间效应晶体管 [MOS Fied Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 43 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
MOS田间效应晶体管
2SJ206
SOT-23
MOSFET
单位:mm
直接通过具有5V POER电源IC驱动。
+0.1
2.4
-0.1
具有低导通电阻
R
DS ( ON)
=4
R
DS ( ON)
=3
MAX @ V
GS
=-4.0V,I
D
=-0.3A
MAX @ V
GS
=-10V,I
D
=-0.3A
+0.1
1.3
-0.1
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
特点
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
1门
2.Emitter
2 SOURCE
3.collector
3漏
绝对最大额定值大= 25
参数
漏极至源极电压V
GS
=0
栅极至源极电压
漏电流( DC )
漏极电流(脉冲) *
功耗
通道温度
储存温度
* PW
10毫秒; ð
50%.
V
DS
=0
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
P
D
T
ch
T
英镑
等级
-30
20
500
1.0
2.0
150
-55到+150
单位
V
V
mA
A
W
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
I
DSS
I
GSS
Testconditons
V
DS
=-30V,V
GS
=0
V
GS
=
16V,V
DS
=0
-1.0
0.4
2.0
0.8
100
V
DS
=-5V,V
GS
=0,f=1MHZ
80
15
120
V
GS ( ON)
=-4V,R
G
=10
R
L
=17
,V
DD
=-5V,I
D
=-0.3A
420
75
140
4.0
3.0
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
-2.3
典型值
最大
-10
5
-3.0
单位
A
A
V
s
V
GS ( OFF )
V
DS
=-5.0V,I
D
=-1mA
Y
fs
R
DS ( ON)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DS
=-5.0V,I
D
=-0.3A
V
GS
=-4.0V,I
D
=-0.3A
V
GS
=-4V,I
D
=-0.3A
记号
记号
PH
0-0.1
www.kexin.com.cn
1