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2SJ302图片预览
型号: 2SJ302
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内容描述: MOS场效应功率晶体管 [Mos Field Effect Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 1 页 / 47 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
MOS场效应功率晶体管
2SJ302
TO
-
263
+0.1
1.27
-0.1
MOSFET
单位:mm
+0.1
1.27
-0.1
+0.2
4.57
-0.2
特点
低通态电阻
R
DS ( ON)
0.1
R
DS ( ON)
0.24
(V
GS
=-10V,I
D
=-8A)
低C
国际空间站
C
国际空间站
= 1200PF TYP 。
+0.2
5.28
-0.2
+0.1
1.27
-0.1
0.1max
+0.1
0.81
-0.1
2.54
+0.2
-0.2
+0.1
5.08
-0.1
+0.2
2.54
-0.2
+0.2
15.25
-0.2
(V
GS
=-4V,I
D
=-6A)
+0.2
8.7
-0.2
2.54
+0.2
0.4
-0.2
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流( DC )
漏极电流(脉冲) *
功耗
通道温度
储存温度
* PW
10
S; ð
1%.
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
P
D
T
ch
T
英镑
等级
-60
-20,+10
16
64
75
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
反向恢复时间
反向Recvery充电
二极管的正向电压
符号
I
DSS
I
GSS
Testconditons
V
DS
=-60V,V
GS
=0
V
GS
=
16V,V
DS
=0
-1.0
5.0
75
130
1200
V
DS
=-10V,V
GS
=0,f=1MHZ
670
290
30
V
GS ( ON)
=-10V,V
DD
=-30V,I
D
=--8A
R
L
=3.75 ,R
G
=10
170
150
130
V
GS
=-10V,I
D
=-8A
I
D
=-16V
V
DD
=-48V
I
F
=-16A,V
GS
=0,d
i
/d
t
=50A/
I
F
=-16A,V
GS
=0
s
42
3
17
110
220
1
100
240
典型值
最大
-10
10
-2.0
单位
A
A
V
s
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nc
nc
nc
ns
nc
V
V
GS ( OFF )
V
DS
=-10V,I
D
=-1mA
Y
fs
R
DS ( ON)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
t
rr
Q
rr
V
SD
V
DS
=-10V,I
D
=-8A
V
GS
=-10V,I
D
=-8A
V
GS
=-4V,I
D
=-6A
5.60
1门
2漏
3源
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1