2SJ600 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SJ600
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内容描述：	MOS场效应 [MOS Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管开关
文件页数/大小：	2 页 / 51 K
品牌：	KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]

SMD型

MOS场效应

2SJ600

特点

低导通电阻

DS(on)1

= 50 m

DS(on)2

= 79m

MAX 。（V

= -10 V，I

= -13 A)

MAX 。（V

= -4.0 V，I

=-13 A)

+0.15

5.55

-0.15

MOSFET

TO-252

+0.15

1.50

-0.15

单位：mm

2.30

+0.8

0.50

-0.7

+0.1

-0.1

6.50

+0.2

5.30

-0.2

+0.15

-0.15

+0.2

9.70

-0.2

+0.1

0.80

-0.1

+0.15

0.50

-0.15

内置栅极保护二极管

0.127

最大

+0.28

1.50

-0.1

+0.25

2.65

-0.1

1门

2漏

3源

2.3

+0.15

4.60

-0.15

+0.1

0.60

-0.1

绝对最大额定值大= 25

参数

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流（ DC ）

漏极电流（脉冲） *

功耗

=25

通道温度

储存温度

* PW

S，占空比

符号

DSS

GSS

英镑

等级

-60

1.0

150

-55到+150

单位

低C

国际空间站

: C

国际空间站

= 1900 pF的典型。

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