2SJ602 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SJ602
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内容描述：	MOS场效应 [MOS Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	2 页 / 50 K
品牌：	KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]

SMD型

MOS场效应

2SJ602

263

+0.1

1.27

-0.1

MOSFET

单位：mm

+0.1

1.27

-0.1

+0.2

4.57

-0.2

特点

低导通电阻

DS(on)1

= 73 m

DS(on)2

= 107m

MAX 。（V

= -10 V，I

= -10 A)

低C

国际空间站

: C

国际空间站

= 1300 pF的典型。

内置栅极保护二极管

+0.2

5.28

-0.2

+0.1

1.27

-0.1

0.1max

+0.1

0.81

-0.1

2.54

+0.2

-0.2

+0.1

5.08

-0.1

+0.2

2.54

-0.2

+0.2

15.25

-0.2

MAX 。（V

= -4.0 V，I

=-10 A)

+0.2

8.7

-0.2

2.54

+0.2

0.4

-0.2

绝对最大额定值大= 25

参数

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流（ DC ）

漏极电流（脉冲） *

功耗

=25

通道温度

储存温度

* PW

S，占空比

符号

DSS

GSS

英镑

等级

-60

1.5

150

-55到+150

单位

5.60

1门

2漏

3源

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