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2SK1589 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SK1589
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内容描述: MOS场效应 [MOS Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 1 页 / 43 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
MOS场效应
2SK1589
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
MOSFET
单位:mm
+0.1
2.4
-0.1
没有必要考虑由于其高输入的驱动电流
阻抗。
+0.1
1.3
-0.1
直接有一个5V的电源管理IC驱动。
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
特点
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
1门
2.Emitter
2 SOURCE
3.collector
3漏
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流( DC )
漏极电流(脉冲) *
功耗
通道温度
储存温度
* PW
为10ms ,占空比
5%
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D
P
D
T
ch
T
英镑
等级
100
20
100
200
2.0
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mA
W
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
I
DSS
I
GSS
Testconditons
V
DS
=100V,V
GS
=0
V
GS
= 20V,V
DS
=0
0.8
20
1.5
38
19
15
16
V
DS
=5.0V,V
GS
=0,f=1MHZ
12
3
17
I
D
=10mA,V
GS ( ON)
=5.0V,R
L
=500
,V
DD
=5V,R
G
=10
10
68
38
30
25
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
典型值
最大
10
1.0
1.8
单位
A
A
V
ms
V
GS ( OFF )
V
DS
=5V,I
D
=1 A
Y
fs
R
DS ( ON)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DS
=5.0V,I
D
=10mA
V
GS
=4.0V,I
D
=10mA
V
GS
=10V,I
D
=10mA
记号
记号
G17
0-0.1
www.kexin.com.cn
1