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    2SK1954 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1954图片预览
    型号： 2SK1954
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： MOS场效应功率晶体管 [MOS Field Effect Power Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 1 页 / 46 K
    品牌： KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
       
    SMD型
    MOS场效应功率晶体管
    2SK1954
    IC
    MOSFET
    特点
    低导通电阻
    R
    DS （ ON）
    =0.65 (V
    GS
    =10V,I
    D
    =2A)
    低西塞西塞= 300pF （典型值）
    +0.2
    9.70
    -0.2
    TO-252
    +0.15
    1.50
    -0.15
    单位：mm
    2.30
    +0.8
    0.50
    -0.7
    +0.1
    -0.1
    6.50
    +0.2
    5.30
    -0.2
    +0.15
    -0.15
    高雪崩能力评级
    +0.1
    0.80
    -0.1
    +0.15
    0.50
    -0.15
    0.127
    最大
    2.3
    4.60
    +0.15
    -0.15
    +0.1
    0.60
    -0.1
    +0.28
    1.50
    -0.1
    +0.25
    2.65
    -0.1
    +0.15
    5.55
    -0.15
    1门
    2漏
    3源
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    漏源极电压
    栅极至源极电压
    漏电流
    功耗
    通道温度
    储存温度
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    P
    D
    T
    ch
    T
    英镑
    等级
    180
    20
    4.0
    20
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    A
    W
    电气特性TA = 25
    参数
    排水截止电流
    栅极漏电流
    门源截止电压
    正向转移导纳
    漏极至源极导通电阻
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    符号
    I
    DSS
    I
    GSS
    Testconditons
    V
    DS
    =180V,V
    GS
    =0
    V
    GS
    = 20V,V
    DS
    =0
    2.0
    0.5
    0.52
    300
    V
    DS
    =10V,V
    GS
    =0,f=1MHZ
    170
    50
    9
    I
    D
    =2A,V
    GS （ ON）
    =10V,R
    L
    =50
    12
    28
    12
    0.65
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    民
    典型值
    最大
    100
    10
    4.0
    单位
    A
    A
    V
    S
    V
    GS （ OFF ）
    V
    DS
    =10V,I
    D
    =1mA
    Y
    fs
    V
    DS
    =10V,I
    D
    =2.0A
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    =10V,I
    D
    =2.0A
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    tr
    t
    D（关闭）
    t
    f
    3
    .8
    0
    内置G -S栅极保护二极管
    www.kexin.com.cn
    1

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