欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SK1959 参数 Datasheet PDF下载

2SK1959图片预览
型号: 2SK1959
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: MOS场效应 [MOS Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 1 页 / 47 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
MOS场效应
2SK1959
SOT-89
IC
MOSFET
单位:mm
+0.1
1.50
-0.1
特点
门可以用1.5V驱动
低导通电阻
R
DS ( ON)
= 3.2 MAX 。 @ V
GS
=1.5V,I
D
=50mA
R
DS ( ON)
= 0.5 MAX 。 @ V
GS
=4.0V,I
D
=1A
+0.1
4.50
-0.1
1.80
+0.1
-0.1
+0.1
2.50
-0.1
1
+0.1
0.48
-0.1
2
3
+0.1
0.80
-0.1
+0.1
0.53
-0.1
+0.1
0.44
-0.1
+0.1
2.60
-0.1
+0.1
4.00
-0.1
3.00
+0.1
-0.1
+0.1
0.40
-0.1
1.基地
1.源
2.收集
2.漏
3. Emiitter
3.门
1门
2漏
3源
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
ch
T
英镑
等级
16
7
2.0
2.0
150
-55到+150
单位
V
V
A
W
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
符号
I
DSS
I
GSS
Testconditons
V
DS
=16V,V
GS
=0
V
GS
= 7V,V
DS
=0
0.5
1.0
0.8
0.36
0.28
160
V
DS
=3V,V
GS
=0,f=1MHZ
150
50
45
I
D
=0.5A,V
GS ( ON)
=3V,R
L
=6
,V
DD
=3V,R
G
=10
190
180
210
3.2
0.6
0.5
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
0.8
典型值
最大
100
10
1.1
单位
A
A
V
S
V
GS ( OFF )
V
DS
=3V,I
D
=100 A
Y
fs
V
DS
=3V,I
D
=1.0A
V
GS
=1.5V,I
D
=50mA
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
V
GS
=2.5V,I
D
=0.5A
V
GS
=4.0V,I
D
=1.0A
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
tr
t
D(关闭)
t
f
www.kexin.com.cn
1