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2SK2133 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SK2133
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内容描述: MOS场效应功率晶体管 [MOS Field Effect Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 46 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
MOS场效应功率晶体管
2SK2133
TO
-
263
+0.1
1.27
-0.1
IC
MOSFET
单位:mm
+0.1
1.27
-0.1
+0.2
4.57
-0.2
特点
低导通电阻
R
DS ( ON)
= 0.21 MAX 。 @ V
GS
=10V,I
D
=8.0A
+0.2
8.7
-0.2
高雪崩capabil
+0.1
1.27
-0.1
0.1max
+0.1
0.81
-0.1
+0.2
5.28
-0.2
2.54
+0.2
-0.2
+0.1
5.08
-0.1
+0.2
2.54
-0.2
+0.2
15.25
-0.2
低西塞西塞= 1090 pF的典型。
2.54
+0.2
0.4
-0.2
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
功率耗散T
A
=25
T
C
=25
通道温度
储存温度
* PW
10秒,占空比1 %
T
ch
T
英镑
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
dp
*
P
D
等级
250
30
16
64
1.5
75
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
W
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
I
DSS
I
GSS
Testconditons
V
DS
=250V,V
GS
=0
V
GS
= 30V,V
DS
=0
2.0
4.0
0.2
1090
V
DS
=10V,V
GS
=0,f=1MHZ
420
80
20
I
D
=8.0A,V
GS ( ON)
=10V,R
L
=18.75
,R
G
=10 ,V
DD
=150V
40
60
20
0.26
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
典型值
最大
100
10
4.0
单位
A
A
V
S
V
GS ( OFF )
V
DS
=10V,I
D
=1mA
Y
fs
V
DS
=10V,I
D
=8.0A
R
DS ( ON)
V
GS
=10V,I
D
=8.0A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
tr
t
D(关闭)
tf
5.60
1门
2漏
3源
www.kexin.com.cn
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