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2SK2731 参数 Datasheet PDF下载

2SK2731图片预览
型号: 2SK2731
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内容描述: 硅N沟道MOSFET [Silicon N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 44 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
硅N沟道MOSFET
2SK2731
SOT-23
MOSFET
单位:mm
特点
低导通电阻。
+0.1
2.4
-0.1
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
1
2
易平行。
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
很容易地设计驱动电路。
+0.1
1.3
-0.1
快速开关速度。
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
1门
2.Emitter
2 SOURCE
3.collector
3漏
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
功耗
通道温度
储存温度
* PW
10秒,占空比1 %
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
dp
*
P
D
T
ch
T
英镑
等级
30
20
0.2
0.8
0.2
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极漏电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
V
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
Y
fs
R
DS ( ON)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
r
t
关闭
tf
I
D
=0.1A,V
GS ( ON)
=10V,R
G
= 10 ,RL = 150
,V
DD
=15V
V
DS
=10V,V
GS
=0,f=1MHZ
Testconditons
I
D
=1mA,V
GS
=0V
V
DS
=30V,V
GS
=0
V
GS
= 20V,V
DS
=0
V
DS
=10V,I
D
=1mA
V
DS
=10V,I
D
=0.1A
V
GS
=10V,I
D
=0.1A
V
GS
=4V,I
D
=0.1A
1.0
100
1.5
2.8
25
15
10
15
20
90
100
2.8
4.5
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
30
10
10
2.5
典型值
最大
单位
V
A
A
V
ms
记号
记号
KL
0-0.1
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1