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2SK2869 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SK2869
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内容描述: N沟道MOSFET硅 [N-Channel Silicon MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 45 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
N沟道MOSFET硅
2SK2869
IC
MOSFET
特点
低导通电阻
R
DS
= 0.033
典型值。
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
单位:mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
高速开关
+0.2
9.70
-0.2
4V栅极驱动器可从5V电源来驱动
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
1门
2漏
3源
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
功耗
通道温度
储存温度
* PW
10秒,占空比1 %
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
dp
*
P
D
T
ch
T
英镑
等级
60
20
20
80
30
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
V
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
Y
fs
R
DS ( ON)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
r
t
关闭
tf
I
D
=10A,V
GS ( ON)
=10V,R
L
=3
V
DS
=20V,V
GS
=0,f=1MHZ
Testconditons
I
D
=10mA,V
GS
=0
V
DS
=60V,V
GS
=0
V
GS
= 16V,V
DS
=0
V
DS
=10V,I
D
=1mA
V
DS
=10V,I
D
=10A
V
GS
=10V,I
D
=10A
V
GS
=4V,I
D
=10A
1.5
10
16
0.033 0.045
0.055
740
380
140
10
110
105
120
0.07
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
60
10
10
2.5
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
3
.8
0
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1