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2SK2857 参数 Datasheet PDF下载

2SK2857图片预览
型号: 2SK2857
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内容描述: MOS场效应 [MOS Field Effect Transistor]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 45 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
MOS场效应
2SK2857
SOT-89
MOSFET
单位:mm
+0.1
1.50
-0.1
特点
可以通过一个5V电源来驱动。
低导通电阻:
R
DS(on)1
= 220 m
R
DS(on)2
= 150 m
MAX 。 (V
GS
= 4 V,I
D
= 1.5 A)
MAX 。 (V
GS
= 10 V,I
D
= 2.5 A)
+0.1
4.50
-0.1
1.80
+0.1
-0.1
+0.1
2.50
-0.1
1
+0.1
0.48
-0.1
2
3
+0.1
0.80
-0.1
+0.1
0.53
-0.1
+0.1
0.44
-0.1
+0.1
2.60
-0.1
+0.1
4.00
-0.1
3.00
+0.1
-0.1
+0.1
0.40
-0.1
1.基地
1.源
2.收集
2.漏
3. Emiitter
3.门
1门
2漏
3源
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
功耗
通道温度
储存温度
* PW
10秒,占空比1 %
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
dp
*
P
D
T
ch
T
英镑
等级
60
20
4
16
2
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
I
DSS
I
GSS
Testconditons
V
DS
=60V,V
GS
=0
V
GS
= 20V,V
DS
=0
1.0
1
150
110
265
V
DS
=10V,V
GS
=0,f=1MHZ
125
56
8
I
D
=1A,V
GS ( ON)
=10V,R
L
=25 ,R
G
=10
,V
DD
=25V
11
52
22
220
150
11.4
典型值
最大
10
10
2.0
单位
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
GS ( OFF )
V
DS
=10V,I
D
=1mA
Y
fs
R
DS ( ON)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
r
t
关闭
tf
V
DS
=10V,I
D
=2A
V
GS
=4V,I
D
=1.5A
V
GS
=10V,I
D
=2.5A
记号
记号
NX
www.kexin.com.cn
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