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2SK3113 参数 Datasheet PDF下载

2SK3113图片预览
型号: 2SK3113
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内容描述: MOS场效应 [MOS Field Effect Transistor]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 45 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
MOS场效应
2SK3113
IC
MOSFET
特点
低通态电阻
R
DS ( ON)
= 4.4
MAX 。 (V
GS
= 10 V,I
D
= 1.0 A)
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
单位:mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
低栅电荷
+0.15
5.55
-0.15
+0.2
9.70
-0.2
+0.1
0.80
-0.1
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
雪崩能力评级
+0.15
0.50
-0.15
栅极电压额定值
30 V
0.127
最大
1门
2漏
3源
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
功耗
T
C
=25
T
A
=25
通道温度
储存温度
* PW
10秒,占空比1 %
T
ch
T
英镑
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
dp
*
P
D
等级
600
30
2.0
8.0
20
1.0
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
Y
fs
R
DS ( ON)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
r
t
关闭
tf
I
D
=1.0A,V
GS ( ON)
=10V,V
DD
=150V,R
G
=10
,R
L
=10
V
DS
=10V,V
GS
=0,f=1MHZ
Testconditons
V
DS
=600V,V
GS
=0
V
GS
= 30V,V
DS
=0
V
DS
=10V,I
D
=1mA
V
DS
=10V,I
D
=1.0A
V
GS
=10V,I
D
=1.0A
2.5
0.5
3.3
260
60
5
7
2
22
9
4.4
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
典型值
最大
100
10
3.5
单位
A
A
V
S
3
.8
0
Q
G
= 9 NC TYP 。 (V
DD
= 450 V, V
GS
= 10 V,I
D
= 2.0 A)
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