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2SK3325 参数 Datasheet PDF下载

2SK3325图片预览
型号: 2SK3325
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内容描述: MOS场效应 [MOS Field Effect Transistor]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 44 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
 浏览型号2SK3325的Datasheet PDF文件第2页  
SMD型
MOS场效应
2SK3325
TO
-
263
+ .1
1 .2 7
-00.1
晶体管
IC
单位:mm
+0.1
1.27
-0.1
+0.2
4.57
-0.2
特点
低栅极电荷:
Q
G
= 22 NC TYP 。 (V
DD
= 400 V, V
GS
= 10 V,I
D
= 10 A)
+ .2
8 .7
-00.2
栅极电压等级:
30 V
低通态电阻
R
DS ( ON)
= 0.85 Ù MAX 。 (V
GS
= 10 V,I
D
= 5.0 A)
+0.1
1.27
-0.1
0.1max
+0.1
0.81
-0.1
2.54
+0.1
5.08
-0.1
+ .2
2 .5 4
-00.2
雪崩能力评级
+ .2
5 .2 8
-00.2
+ .2
1 5 .2 5
-00.2
+0.2
2.54
-0.2
+0.2
0.4
-0.2
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流( DC )
漏电流(脉冲) * 1
总功率耗散(T
A
= 25 )
总功率耗散(T
C
= 25 )
通道温度
储存温度
单雪崩电流* 2
单雪崩能量* 2
* 1 。 PW
图10是, Dduty周期的1%。
0V
总胆固醇
T
英镑
I
AS
E
AS
符号
V
DSS
V
GSS
I
D( DS )
I
D(脉冲)
P
T
等级
500
30
10
40
1.5
85
150
-55到+150
10
10.7
A
mJ
单位
V
V
A
A
W
* 2 。开始总胆固醇= 25 ,V
DD
= 150 V ,R
G
= 25 Ù, V
GS
= 20 V
5 .6 0
1门
2漏
3源
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