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2SK3484 参数 Datasheet PDF下载

2SK3484图片预览
型号: 2SK3484
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内容描述: MOS场效应 [MOS Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管开关
文件页数/大小: 1 页 / 47 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
MOS场效应
2SK3484
TO-252
IC
MOSFET
特点
超低导通电阻:
R
DS(on)1
= 125m
R
DS(on)2
= 148m
MAX 。 (V
GS
= 10 V,I
D
= 8A)
+0.2
9.70
-0.2
单位:mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
低C
ISS :
C
国际空间站
= 900 pF的典型。
0.127
最大
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
1门
2漏
3源
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
功耗
T
C
=25
T
A
=25
通道温度
储存温度
* PW
10秒,占空比1 %
T
ch
T
英镑
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
dp
*
P
D
等级
100
20
16
22
30
1.0
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
水道截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
Y
fs
R
DS(on)1
R
DS(on)2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
r
t
关闭
tf
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
D
= 16A ,V
DD
=80V, V
GS
= 10 V
I
D
=8A,V
GS ( ON)
=10V,R
G
=0 ,V
DD
=50V
V
DS
=10V,V
GS
=0,f=1MHZ
Testconditons
V
DS
=100V,V
GS
=0
V
GS
= 20V,V
DS
=0
V
DS
=10V,I
D
=1mA
V
DS
=10V,I
D
=8A
V
GS
=10V,I
D
=8A
V
GS
=4.5V,I
D
=8A
1.5
4.5
2.0
9.5
100
110
900
110
50
9.0
5.0
30
4.0
20
3.0
5.0
125
148
典型值
最大
10
10
2.5
单位
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
3
.8
0
MAX 。 (V
GS
= 4.5 V,I
D
= 8A)
+0.15
1.50
-0.15
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
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