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2SK3572 参数 Datasheet PDF下载

2SK3572图片预览
型号: 2SK3572
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内容描述: MOS场效应 [MOS Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 1 页 / 45 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
MOSFET
MOS场效应
2SK3572
TO
-
263
特点
4.5V驱动器可用。
+0.2
8.7
-0.2
+0.1
1.27
-0.1
单位:mm
+0.1
1.27
-0.1
+0.2
4.57
-0.2
R
DS(on)1
= 5.7m
低栅电荷
MAX 。 (V
GS
= 10 V,I
D
= 40A)
+0.1
1.27
-0.1
0.1max
+0.1
0.81
-0.1
+0.2
5.28
-0.2
Q
G
= 32 NC TYP 。 (V
DD
= 16 V, V
GS
= 10 V,I
D
= 80 A)
内置栅极保护二极管
表面贴装器件提供
2.54
+0.2
-0.2
+0.1
5.08
-0.1
+0.2
2.54
-0.2
+0.2
15.25
-0.2
2.54
+0.2
0.4
-0.2
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
功耗
T
C
=25
T
A
=25
通道温度
储存温度
* PW
10秒,占空比1 %
T
ch
T
英镑
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
dp
*
P
D
等级
20
20
80
300
52
1.5
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
栅极截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
Y
fs
R
DS(on)1
R
DS(on)2
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
r
t
关闭
tf
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
DD
= 16 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 80 A
I
D
=40A,V
GS ( ON)
=10V,R
G
=10 ,V
DD
=10V
V
DS
=10V,V
GS
=0,f=1MHZ
Testconditons
V
DS
=20V,V
GS
=0
V
GS
= 20V,V
DS
=0
V
DS
=10V,I
D
=1mA
V
DS
=10V,I
D
=40A
V
GS
=10V,I
D
=40A
V
GS
=4.5V,I
D
=40A
1.5
15
4.4
7.4
1700
700
250
16
14
50
9
32
7.1
7.7
5.7
9.9
典型值
最大
10
10
2.5
单位
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
5.60
1门
2漏
3源
低通态电阻,
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1