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    2SK3919 参数 Datasheet PDF下载

    2SK3919图片预览
    型号： 2SK3919
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： MOS场效应 [MOS Field Effect Transistor]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 1 页 / 45 K
    品牌： KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
       
    SMD型
    IC
    MOSFET
    MOS场效应
    2SK3919
    TO-252
    +0.15
    1.50
    -0.15
    单位：mm
    2.30
    +0.8
    0.50
    -0.7
    +0.1
    -0.1
    特点
    低通态电阻
    +0.2
    9.70
    -0.2
    6.50
    +0.2
    5.30
    -0.2
    +0.15
    -0.15
    低西塞：西塞= 2050 pF的典型。
    5 V驱动器可用
    +0.1
    0.80
    -0.1
    +0.15
    0.50
    -0.15
    0.127
    最大
    2.3
    4.60
    +0.15
    -0.15
    +0.1
    0.60
    -0.1
    +0.28
    1.50
    -0.1
    +0.25
    2.65
    -0.1
    +0.15
    5.55
    -0.15
    R
    DS(on)1
    = 5.6 m
    MAX 。 （V
    GS
    = 10 V，I
    D
    = 32 A)
    1门
    2漏
    3源
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    漏源极电压
    栅极至源极电压
    漏电流
    功耗
    T
    A
    =25
    T
    C
    =25
    通道温度
    储存温度
    * PW
    10秒，占空比1 ％
    T
    ch
    T
    英镑
    符号
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    dp
    *
    P
    D
    等级
    25
    20
    64
    256
    1.0
    36
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    A
    A
    W
    电气特性TA = 25
    参数
    排水截止电流
    栅极漏电流
    栅极截止电压
    正向转移导纳
    漏极至源极导通电阻
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    总栅极电荷
    门源费
    栅漏电荷
    体二极管正向电压
    反向恢复时间
    反向恢复电荷
    符号
    I
    DSS
    I
    GSS
    V
    GS （ OFF ）
    Y
    fs
    R
    DS(on)1
    R
    DS(on)2
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    on
    t
    r
    t
    关闭
    tf
    Q
    G
    Q
    GS
    Q
    GD
    V
    F（ S- D）的
    t
    rr
    Q
    rr
    V
    DD
    = 20V
    V
    GS
    = 10 V
    I
    D
    =64A
    I
    F
    = 64A ，V
    GS
    = 0 V
    I
    F
    = 64 A，V
    GS
    = 0 V
    d
    i
    /d
    t
    = 100 A / IS
    I
    D
    =32A,V
    GS （ ON）
    =10V,R
    G
    =10
    ,V
    DD
    =12.5V
    V
    DS
    =10V,V
    GS
    =0,f=1MHZ
    Testconditons
    V
    DS
    =25V,V
    GS
    =0
    V
    GS
    = 20V,V
    DS
    =0
    V
    DS
    =10V,I
    D
    =1mA
    V
    DS
    =10V,I
    D
    =16A
    V
    GS
    =10V,I
    D
    =32A
    V
    GS
    =5.0V,I
    D
    =16A
    2.5
    9.7
    2.5
    19
    4.5
    6.8
    2050
    460
    330
    16
    19
    53
    22
    42
    8
    15
    0.97
    23
    11
    5.6
    13.7
    民
    典型值
    最大
    10
    100
    3.0
    单位
    A
    nA
    V
    S
    mÙ
    mÙ
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    V
    ns
    nC
    3
    .8
    0
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