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2SK680A 参数 Datasheet PDF下载

2SK680A图片预览
型号: 2SK680A
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内容描述: MOS场效应 [MOS Field Effect Transistor]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 45 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
MOSFET
MOS场效应
2SK680A
SOT-89
单位:mm
+0.1
1.50
-0.1
特点
直接用集成电路有一个5V电源驱动。
不必考虑,因为驱动电流
其高输入impeance 。
+0.1
4.50
-0.1
1.80
+0.1
-0.1
+0.1
2.50
-0.1
R
DS ( ON)
= 1.0ÙMAX 。 @V
GS
=4.0V,I
D
=0.5A
R
DS ( ON)
= 0.70ÙMAX 。 @V
GS
=10V,I
D
=0.5A
+0.1
0.80
-0.1
具有低导通电阻
1
+0.1
0.48
-0.1
2
3
+0.1
0.53
-0.1
+0.1
0.44
-0.1
+0.1
2.60
-0.1
+0.1
4.00
-0.1
+0.1
3.00
-0.1
+0.1
0.40
-0.1
1.基地
1.源
2.收集
2.漏
3. Emiitter
3.门
1门
2漏
3源
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
功耗
通道温度
储存温度
* PW
10秒,占空比1 %
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
dp
*
P
D
T
ch
T
英镑
等级
30
20
1.0
2.0
2.0
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
排水截止电流
栅极漏电流
栅极截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
Y
fs
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
r
t
关闭
tf
I
D
=0.5A,V
GS ( ON)
=10V,R
G
=10
,V
DD
=25V,R
L
=50Ù
V
DS
=5.0V,V
GS
=0,f=1MHZ
Testconditons
V
DS
=30V,V
GS
=0
V
GS
= 20V,V
DS
=0
V
DS
=10V,I
D
=1mA
V
DS
=10V,I
D
=0.5A
V
GS
=4V,I
D
=0.5A
V
GS
=10V,I
D
=0.5A
1.0
0.4
0.6
0.4
130
70
30
12
44
310
160
1.0
0.7
1.6
典型值
最大
10
10
2.5
单位
A
A
V
S
Ù
Ù
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
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1