SMD型
N沟道增强模式
场效应晶体管
KO3414
(AO3414)
SOT-23
MOSFET
IC
单位：mm
特点
V
DS （ V）
= 20V
+0.1
2.4
-0.1
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
63m
87m
(V
GS
= 2.5V)
(V
GS
= 1.8V)
0.55
R
DS （ ON）
50m
(V
GS
= 4.5V)
+0.1
1.3
-0.1
I
D
= 4.2A （V
GS
=4.5V)
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
1.门
2.Emitter
2.源
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
3.排水
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏极
电流* 1
T
A
=25
T
A
=70
I
DM
P
D
R
thJA
R
thJC
T
J
, T
英镑
符号
V
DS
V
GS
I
D
等级
20
8
4.2
3.2
15
1.4
0.9
125
80
-55到150
/W
/W
W
A
单位
V
V
漏电流脉冲* 2
功耗* 1
T
A
=25
T
A
=70
Themal Resistance.Junction对环境* 1
Themal Resistance.Junction到案例
结温和存储温度范围
的R * 1的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司
铜，在静止空气环境和T
A
=25
www.kexin.com.cn
1
KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
