BC856S 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BC856S
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内容描述：	PNP通用双晶体管 [PNP General Purpose Double Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	1 页 / 42 K
品牌：	KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]

SMD型

晶体管

PNP通用双晶体管

KC856S

(BC856S)

-363

+0.1

1.3

-0.1

0.65

单位：mm

特点

减少了元件和电路板空间的数量

晶体管之间不相互干扰。

+0.15

2.3

-0.15

0.36

0.1max

+0.1

0.3

-0.1

+0.1

2.1

-0.1

+0.05

0.1

-0.02

1 E1

2 B1

3 C2

4 E2

5 B2

6 C1

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流 -

功耗

热阻，结到环境

工作和存储结温范围

符号

CBO

首席执行官

EBO

等级

-80

-65

-5

-100

200

416

-65到+150

单位

, T

英镑

电气特性TA = 25

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

输出电容

Transistion频率

符号

CBO

EBO

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

Testconditons

= - 30 V，I

= 0

= - 30 V，I

= 0, T

= 150

=0,V

=-5V

= -2.0毫安，V

= -5.0 V

= -10毫安，我

= - 0.5毫安

= -100毫安，我

= - 5.0毫安

= -10毫安，我

=-0.5mA

= -10 V ， F = 1.0 MHz的

= -10毫安，V

= -5.0V ， F = 100兆赫

100

700

2.5

110

-100

-300

兆赫

民

典型值

最大

-15

-5.0

-100

单位

记号

+0.05

0.95

-0.05

+0.1

1.25

-0.1

两个晶体管在一个封装

0.525

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