SMD型
BCP54 ; BCP55 ; BCP56
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
I
CBO
I
EBO
Testconditons
I
E
= 0 ; V
CB
= 30 V
I
E
= 0 ; V
CB
= 30 V ; TJ = 150
I
C
= 0 ; V
EB
= 5 V
I
C
= 5毫安; V
CE
= 2 V
直流电流增益
h
FE
I
C
= 150毫安; V
CE
= 2 V
I
C
= 500毫安; V
CE
= 2 V
直流电流增益
BCP54-10 ; BCP55-10 ; BCP56-10
BCP54-16 ; BCP55-16 ; BCP56-16
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
互补对的直流电流增益比
V
CESAT
V
BE
f
T
I
C
= 0.5 A;我
B
= 50毫安
I
C
= 0.5 A; V
CE
= 2 V
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的
|I
C
| = 150毫安| V
CE
| = 2 V
h
FE
V
CE
= 2 V ;我
C
= 150毫安
63
100
63
63
40
民
晶体管
典型值
最大
100
10
100
单位
nA
ìA
nA
250
160
250
500
1
130
1.6
mV
V
兆赫
2
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