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BCW61B 参数 Datasheet PDF下载

BCW61B图片预览
型号: BCW61B
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内容描述: 通用晶体管 [General Purpose Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 38 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
 浏览型号BCW61B的Datasheet PDF文件第1页  
SMD型
BCW61A/B/C/D
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
BCW61B
直流电流增益
BCW61C
BCW61D
BCW61B
直流电流增益
BCW61C
BCW61D
BCW61B
直流电流增益
BCW61C
BCW61D
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
I
C
= -10毫安;我
B
= -0.25毫安
I
C
= -50毫安;我
B
= -1.25毫安
基地发射极饱和电压
基地发射极电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率*
噪声系数
*脉冲测试: TP
300 ; ð
0.02.
V
BE ( SAT )
V
BE
C
C
C
e
f
T
NF
I
C
= -10毫安;我
B
= -0.25毫安
I
C
= -50毫安;我
B
= -1.25毫安
I
C
= -2 mA的; V
CE
= -5 V
I
E
= IE = 0 ; V
CB
= -10 V ; F = 1 MHz的
I
C
=集成电路= 0; V
EB
= -0.5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= -10毫安; V
CE
= -5V ; F = 100 MHz的
I
C
= -200 IA ; V
CE
= -5V ; ř
S
= 2 kÙ;
F = 1千赫B = 200赫兹
100
h
FE
I
C
= -50毫安; V
CE
= -5 V
h
FE
I
C
= -2 mA的; V
CE
= -5 V
h
FE
I
C
= -10ìA ; V
CE
= -5 V
符号
I
CBO
I
CBO
I
EBO
Testconditons
I
E
= 0; V
CB
= -32 V
I
E
= 0; V
CB
= -32 V ;牛逼
AMB
= 150
I
C
= 0; V
EB
= -4 V
30
40
100
180
250
380
80
100
110
-60
-120
-600
-0.68
-600
晶体管
IC
典型值
最大
-20
-20
-20
单位
nA
ìA
nA
310
460
630
-250
-550
-850
-1.05
-650
4.5
11
-750
mV
mV
mV
V
mV
pF
pF
兆赫
2
6
dB
记号
TYPE
记号
BCW61A
BA
BCW61B
BB
BCW61C
BC
BCW61D
BD
2
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