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BF820W图片预览
型号: BF820W
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内容描述: NPN型高压晶体管 [NPN High-Voltage Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管高压
文件页数/大小: 1 页 / 47 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
NPN型高压晶体管
BF820W
晶体管
特点
低电流(最大50 mA)的
高电压(最大300伏) 。
1辐射源
2基地
3收藏家
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(开基)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗* T
AMB
储存温度
结温
工作环境温度
从结点到环境的热阻*
*晶体管安装在一FR4印刷电路板。
25
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
R
AMB
R
日J-一
等级
300
300
5
50
100
50
200
-65到+150
150
-65到+150
625
K / W
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压*
反馈电容
跃迁频率
*脉冲测试: TP
300 ìs; ä
0.02.
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CESAT
C
re
f
T
Testconditons
I
E
= 0; V
CB
= 200 V
I
E
= 0; V
CB
= 200 V ; TJ = 150
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 25毫安; V
CE
= 20 V
I
C
= 30毫安;我
B
= 5毫安
I
C
= 0; V
CB
= 30 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 10毫安; V
CE
= 10 V ; F = 100MHz的
60
50
600
1.6
mV
pF
兆赫
典型值
最大
10
10
50
单位
nA
ìA
nA
记号
记号
1V
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1