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BF821图片预览
型号: BF821
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内容描述: PNP型高压晶体管 [PNP High-Voltage Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管高压
文件页数/大小: 1 页 / 37 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
PNP型高压晶体管
BF821,BF823
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
单位:mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
低电流(最大50 mA)的
高电压(最大300伏) 。
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
BF821
BF823
集电极 - 发射极电压
BF821
BF823
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗*
储存温度
结温
工作环境温度
从结点到环境的热阻*
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
R
AMB
R
日J-一
V
首席执行官
符号
V
CBO
等级
-300
-250
-300
-250
-5
-50
-100
-50
250
-65到+150
150
-65到+150
500
K / W
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
mA
mW
*晶体管安装在一FR4印刷电路板。
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
反馈电容
跃迁频率
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CESAT
C
re
f
T
Testconditons
I
E
= 0; V
CB
= -200 V
I
E
= 0; V
CB
= -200 V ;牛逼
j
= 150
I
C
= 0; V
EB
= -5 V
I
C
= -25毫安; V
CE
= -20 V
I
C
= -30毫安;我
B
= -5毫安
I
C
=集成电路= 0; V
CB
= -30 V ; F = 1 MHz的
I
C
= -10毫安; V
CE
= -10 V ; F = 100 MHz的
60
50
-800
1.6
mV
pF
兆赫
典型值
最大
-10
-10
-50
单位
nA
ìA
nA
h
FE
分类
TYPE
记号
BF821
1W
BF823
1Y
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
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