欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

BSP16 参数 Datasheet PDF下载

BSP16图片预览
型号: BSP16
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: PNP型高压晶体管 [PNP High-Voltage Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管高压
文件页数/大小: 1 页 / 37 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
   
SMD型
PNP型高压晶体管
BSP16
SOT-223
+0.2
6.50
-0.2
晶体管
单位:mm
+0.2
3.50
-0.2
0
.1max
+0.05
0.90
-0.05
特点
高电压(最大为350V ) 。
+0.1
3.00
-0.1
+0.2
0.90
-0.2
+0.3
7.00
-0.3
4
1 BASE
1
2
2.9
4.6
3
0.70
+0.1
-0.1
2个集热器
3发射器
4珍藏
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(开基)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流( DC )
基极电流(DC)的
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
从结点到环境的热阻*
热阻结到焊接点
T
AMB
25
*
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
RTH J-一
RTH Ĵ -S
等级
-350
-300
-6
-200
-200
1.28
-65到150
150
-65到150
97
16
K / W
K / W
单位
V
V
V
mA
mA
W
* 。器件安装在印刷电路板,单面铜,镀锡,安装垫
集热1厘米
2
.
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
集电极电容
跃迁频率
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CESAT
C
c
f
T
Testconditons
I
E
= 0; V
CB
= -280 V
I
C
= 0; V
EB
= -6 V
I
C
= -50毫安; V
CE
= -10 V
I
C
= -50毫安;我
B
= -5毫安
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= -10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= -10毫安; V
CE
= -10 V ; F = 100 MHz的
15
30
典型值
最大
-100
-100
120
-2
15
V
pF
兆赫
单位
nA
nA
+0.15
1.65
-0.15
www.kexin.com.cn
1