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BSS80C 参数 Datasheet PDF下载

BSS80C图片预览
型号: BSS80C
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内容描述: PNP硅开关晶体管 [PNP Silicon Switching Transistors]
分类和应用: 晶体开关晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 41 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
 浏览型号BSS80C的Datasheet PDF文件第1页  
SMD型
BSS80,BSS82
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
BSS80
BSS82
V
( BR ) CBO
I
C
= 10 μA ,我
E
= 0
V
( BR ) EBO
I
E
= 10 μA ,我
C
= 0
I
CBO
I
EBO
BSS80/82B
BSS80/82C
BSS80/82B
BSS80/82C
直流电流增益*
BSS80/82B
BSS80/82C
BSS80/82B
BSS80/82C
BSS80/82B
BSS80/82C
集电极 - 发射极饱和电压*
V
CE ( SAT )
I
C
= 150毫安,我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极 - 基极电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
*脉冲测试:吨
300ìs ,D = 2%。
*
V
BE ( SAT )
f
T
建行
td
tr
TSTG
tf
I
C
= 150毫安,我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
I
C
能力= 20 mA ,V
CE
= 20 V , F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V , F = 1兆赫
V
CC
= 30 V,I
C
= 150毫安,我
B1
= 15毫安, V
BE (OFF)的
= 0.5 V
V
CC
= 30 V,I
C
= 150毫安,我
B1
= 15毫安, V
BE (OFF)的
= 0.5 V
V
CC
= 30 V,I
C
= 150毫安,我
B1
= I
B2
= 15毫安,
V
CC
= 30 V,I
C
= 150毫安,我
B1
= I
B2
= 15毫安,
I
C
= 500毫安, V
CE
= 10 V
h
FE
I
C
= 10 mA时, V
CE
= 10 V
I
C
= 1毫安, V
CE
= 10 V
V
CB
= 50 V,I
E
= 0
V
CB
= 50 V,I
E
= 0 , T
A
= 150
发射Cuto FF电流
V
EB
= 3 V,I
C
= 0
I
C
= 100 μA ,V
CE
= 10 V
符号
Testconditons
晶体管
IC
40
60
60
5
典型值
最大
单位
V
V
V
V
( BR ) CEO
I
C
= 10 mA时,我
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
10
10
10
40
75
40
100
40
100
nA
ìA
nA
I
C
= 150毫安, V
CE
= 10 V
40
100
40
50
120
300
0.4
1.6
1.3
2.6
250
6
10
40
80
30
兆赫
pF
ns
ns
ns
ns
V
h
FE
分类
TYPE
记号
TYPE
记号
B
CLS
B
CHS
BSS82
C
CMS
BSS80
C
CJS
2
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