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FDB3632 参数 Datasheet PDF下载

FDB3632图片预览
型号: FDB3632
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内容描述: N沟道PowerTrench MOSFET的 [N-Channel PowerTrench MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关PC
文件页数/大小: 2 页 / 53 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
 浏览型号FDB3632的Datasheet PDF文件第2页  
SMD型
MOSFET
N沟道PowerTrench MOSFET的
KDB3632
(FDB3632)
TO
-
263
+0.1
1.27
-0.1
特点
r
DS ( ON)
= 7.5m
(典型值) ,V
GS
= 10V ,我
D
= 80A
Q
G( TOT )
= 84nC (典型值) ,V
GS
= 10V
低米勒电荷
+0.1
1.27
-0.1
单位:mm
+0.1
1.27
-0.1
+0.2
4.57
-0.2
UIS能力(单脉冲,重复脉冲)
+0.2
5.28
-0.2
0.1max
+0.1
0.81
-0.1
2.54
+0.2
-0.2
+0.1
5.08
-0.1
+0.2
2.54
-0.2
+0.2
15.25
-0.2
低Q
RR
体二极管
+0.2
8.7
-0.2
2.54
+0.2
0.4
-0.2
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流连续
T
C
111
T
A
=25
功耗
减免上述25
热阻结到环境
热阻,结到外壳
通道温度
储存温度
R
θJA
R
θJC
T
ch
T
英镑
P
D
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
等级
100
20
80
12
310
2.07
43
0.48
175
-55到+175
单位
V
V
A
A
W
W/
/W
/W
5.60
1门
2漏
3源
www.kexin.com.cn
1