FDB3682 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDB3682
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内容描述：	N沟道PowerTrench MOSFET的 [N-Channel PowerTrench MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	2 页 / 53 K
品牌：	KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]

SMD型

MOSFET

N沟道PowerTrench MOSFET的

KDB3682

(FDB3682)

263

+0.1

1.27

-0.1

特点

DS （ ON）

=32m

（典型值），V

= 10V ，我

=32A

G（ TOT ）

= 18.5nC （典型值），V

= 10V

低米勒电荷

+0.1

1.27

-0.1

单位：mm

+0.1

1.27

-0.1

+0.2

4.57

-0.2

UIS能力（单脉冲，重复脉冲）

+0.2

5.28

-0.2

0.1max

+0.1

0.81

-0.1

2.54

+0.2

-0.2

+0.1

5.08

-0.1

+0.2

2.54

-0.2

+0.2

15.25

-0.2

低Q

体二极管

+0.2

8.7

-0.2

2.54

+0.2

0.4

-0.2

绝对最大额定值大= 25

参数

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流连续

=25

功耗

减免上述25

热阻结到环境

热阻，结到外壳

通道温度

储存温度

θJA

θJC

英镑

符号

DSS

GSS

等级

100

0.63

1.58

175

-55到+175

单位

5.60

1门

2漏

3源

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