FDB4020P 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDB4020P
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内容描述：	P沟道2.5V指定增强型场效应晶体管 [P-Channel 2.5V Specified Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小：	2 页 / 51 K
品牌：	KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]

SMD型

MOSFET

P沟道2.5V指定增强

型场效应晶体管

KDB4020P

(FDB4020P)

263

+0.1

1.27

-0.1

单位：mm

+0.1

1.27

-0.1

+0.2

4.57

-0.2

特点

-16 ， -20 V. ř

DS （ ON）

= 0.08 Ù @ V

= -4.5 V

DS （ ON）

= 0.11 Ù @ V

= -2.5 V.

+0.2

8.7

-0.2

在高温指定临界直流电气参数

温度。

高密度电池设计极低R

DS （ ON）

+0.1

1.27

-0.1

0.1max

+0.1

0.81

-0.1

+0.2

5.28

-0.2

2.54

+0.2

-0.2

+0.1

5.08

-0.1

+0.2

2.54

-0.2

+0.2

15.25

-0.2

2.54

+0.2

0.4

-0.2

绝对最大额定值大= 25

参数

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

=25

符号

DSS

GSS

θJC

θJA

英镑

等级

-20

-16

-48

37.5

0.25

175

-55到+175

单位

漏电流脉冲

功耗

减免上述25

热阻，结点到外壳

热阻结到环境

通道温度

储存温度

5.60

1门

2漏

3源

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