FDN5630 参数 Datasheet PDF下载

型号：	FDN5630
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内容描述：	N沟道PowerTrench MOSFET的 [N-Channel PowerTrench MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	2 页 / 107 K
品牌：	KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]

SMD型

N沟道PowerTrench MOSFET的

FDN5630

MOSFET

■

特点

●

(V) = 60V

●

DS （ ON）

＜100

毫欧（V

= 10V)

+0.1

2.4

-0.1

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

单位：mm

●

低栅电荷

●

非常快速的切换

0.95

+0.1

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

0.55

●

优化高频DC / DC转换器的使用

+0.1

1.3

-0.1

●

DS （ ON）

＜120

毫欧（V

= 6V)

0.4

+0.05

0.1

-0.01

0.97

1.Base

1.门

2.Emitter

2.源

+0.1

0.38

-0.1

0-0.1

+0.1

-0.1

3.排水

3.collector

■

绝对最大额定值TA = 25 ℃

参数

漏源电压

栅极 - 源极电压

排水CURENT -Continuous

-Pulsed

功耗

最大结点到环境

结温和存储温度范围

θJA

英镑

符号

等级

±20

1.7

0.5

250

-55到+150

℃/W

℃

单位

www.kexin.com.cn

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