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    FMMT449 参数 Datasheet PDF下载

    FMMT449图片预览
    型号： FMMT449
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 中功率晶体管 [Medium Power Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管
    文件页数/大小： 1 页 / 36 K
    品牌： KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
       
    SMD型
    中功率晶体管
    FMMT449
    SOT-23
    +0.1
    2.9
    -0.1
    +0.1
    0.4
    -0.1
    晶体管
    IC
    单位：mm
    +0.1
    2.4
    -0.1
    1
    +0.1
    0.95
    -0.1
    +0.1
    1.9
    -0.1
    2
    0.55
    低等效导通电阻。
    +0.1
    1.3
    -0.1
    特点
    0.4
    3
    +0.05
    0.1
    -0.01
    0.97
    +0.1
    0.38
    -0.1
    +0.1
    -0.1
    1.Base
    2.Emitter
    3.collector
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    峰值集电极电流
    集电极电流
    基极电流
    功耗
    工作和存储温度范围
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CM
    I
    C
    I
    B
    P
    合计
    T
    j,
    T
    英镑
    等级
    50
    30
    5
    2
    1
    200
    500
    -55到+125
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    mA
    mW
    电气特性TA = 25
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    收藏家Cuto FF电流
    发射极截止电流
    集电极 - 发射极饱和电压*
    基射极饱和电压*
    基极 - 发射极电压*
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    I
    C
    =1mA,I
    E
    =0
    V
    （ BR ） CEO
    I
    C
    =10mA,I
    B
    =0
    V
    （ BR ） EBO
    I
    E
    =100ìA,I
    C
    =0
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    CE（
    SAT ）
    V
    CB
    =40V,I
    E
    =0
    V
    CB
    =40V,Tam
    B
    =100
    V
    EB
    =4V,I
    C
    =0
    I
    C
    =1A,I
    B
    =100mA
    I
    C
    =2A,I
    B
    =200mA
    Testconditons
    民
    50
    30
    5
    0.1
    10
    0.1
    0.5
    1.0
    1.25
    1.0
    70
    100
    80
    40
    150
    15
    兆赫
    pF
    300
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    ìA
    ìA
    ìA
    V
    V
    V
    V
    BE （
    SAT ）I
    C
    =1A,I
    B
    =100mA
    V
    BE（上）
    I
    C
    =1A,V
    CE
    =2V
    I
    C
    = 50mA时V
    CE
    =2V*
    静态正向电流传输比
    h
    FE
    I
    C
    = 500毫安，V
    CE
    =2V*
    I
    C
    = 1A ，V
    CE
    =2V*
    I
    C
    = 2A ，V
    CE
    =2V*
    电流增益带宽积
    输出电容
    *脉冲宽度= 300ìs 。占空比
    2%
    f
    T
    C
    敖包
    I
    C
    =50mA,V
    CE
    =10V,f=100MHz
    V
    CB
    =10V,f=1MHz
    记号
    记号
    449
    0-0.1
    www.kexin.com.cn
    1

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