欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

FZT651 参数 Datasheet PDF下载

FZT651图片预览
型号: FZT651
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: NPN硅平面高性能晶体管 [NPN Silicon Planar High Performance Transistors]
分类和应用: 晶体晶体管PC
文件页数/大小: 2 页 / 38 K
品牌: KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
 浏览型号FZT651的Datasheet PDF文件第1页  
SMD型
FZT651
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压*
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压*
基射极饱和电压*
基射极导通电压*
符号
V
( BR ) CBO
I
C
=100ìA
V
( BR ) CEO
I
C
=10mA
V
( BR ) EBO
I
E
=100ìA
I
CBO
I
EBO
V
CE(
SAT )
V
CB
=60V
V
CB
= 60V ,TA = 100
V
EB
=4V
I
C
= 1A ,我
B
=100mA
I
C
= 3A ,我
B
=300mA
Testconditons
晶体管
80
60
5
典型值
最大
单位
V
V
V
0.1
10
0.1
0.12
0.43
0.9
0.8
70
100
80
40
140
200
200
170
80
175
30
45
800
300
0.3
0.6
1.25
1
ìA
ìA
V
V
V
V
BE (
SAT )I
C
= 1A ,我
B
=100mA
V
BE (上
) I
C
= 1A ,V
CE
=2V
I
C
= 50mA时V
CE
=2V*
静态正向电流传输比
h
FE
I
C
= 500毫安,V
CE
=2V*
I
C
= 1A ,V
CE
=2V*
I
C
= 2A ,V
CE
=2V*
过渡频率
输出电容
开关时间
*脉冲测试: TP = 300 ; ð
0.02.
f
T
C
敖包
t
on
t
关闭
I
C
= 100mA时V
CE
= 5V F = 100MHz的
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
I
C
=500mA,V
CC
=10V,I
B1
=I
B2
=50mA
兆赫
pF
ns
ns
记号
记号
FZT651
2
www.kexin.com.cn