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    FZT851 参数 Datasheet PDF下载

    FZT851图片预览
    型号： FZT851
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅平面高电流（高性能）晶体管 [NPN Silicon Planar High Current (High Performance)Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管
    文件页数/大小： 2 页 / 39 K
    品牌： KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
     浏览型号FZT851的Datasheet PDF文件第1页  
    SMD型
    FZT851
    电气特性TA = 25
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压*
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    I
    C
    =100ìA
    V
    （ BR ） CEO
    I
    C
    =10mA
    V
    （ BR ） EBO
    I
    E
    =100ìA
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    CB
    =120V
    V
    CB
    = 120V ，TA = 100
    V
    EB
    =6V
    Testconditons
    晶体管
    民
    150
    60
    6
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    50
    1
    10
    50
    100
    170
    375
    1200
    1150
    100
    100
    75
    25
    200
    200
    120
    50
    130
    45
    45
    1100
    300
    nA
    ìA
    nA
    集电极 - 发射极饱和电压*
    I
    C
    = 0.1A ，我
    B
    =5mA
    I
    C
    = 1A ，我
    B
    =50mA
    V
    CE（
    SAT ）
    I
    C
    = 2A ，我
    B
    =50mA
    I
    C
    = 6A ，我
    B
    =300mA
    V
    BE （
    SAT ）I
    C
    = 6A ，我
    B
    =300mA
    V
    BE （上
    ) I
    C
    = 6A ，V
    CE
    =1V
    I
    C
    = 10毫安，V
    CE
    =1V
    mV
    基射极饱和电压*
    基射极导通电压*
    mV
    mV
    静态正向电流传输比*
    h
    FE
    I
    C
    = 2A ，V
    CE
    =1V*
    I
    C
    = 5A ，V
    CE
    =1V*
    I
    C
    = 10A ，V
    CE
    =1V*
    过渡频率
    输出电容
    开启时间
    打开-O FF时间
    *脉冲测试： TP = 300 ; ð
    0.02.
    f
    T
    C
    敖包
    t
    （上）
    t
    （关闭）
    I
    C
    = 100mA时V
    CE
    = 10V F = 50MHz的
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    I
    C
    = 1A ，V
    CC
    =10V
    I
    B1
    =I
    B2
    =100mA
    兆赫
    pF
    ns
    ns
    记号
    记号
    FZT851
    2
    www.kexin.com.cn

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