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    FZT953 参数 Datasheet PDF下载

    FZT953图片预览
    型号： FZT953
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅平面高电流晶体管 [PNP Silicon Planar High Current Transistors]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 38 K
    品牌： KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]
     浏览型号FZT953的Datasheet PDF文件第1页  
    SMD型
    FZT953
    电气特性TA = 25
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压*
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    I
    C
    =-100ìA
    V
    （ BR ） CEO
    I
    C
    =-10mA
    V
    （ BR ） EBO
    I
    E
    =-100ìA
    I
    CBO
    I
    EBO
    V
    CB
    =-100V
    V
    CB
    = -100V ，TA = 100
    V
    EB
    =-6V
    Testconditons
    晶体管
    民
    -140
    -100
    -6
    典型值
    -170
    -120
    -8
    最大
    单位
    V
    V
    V
    -50
    -1
    -10
    -20
    -90
    -160
    -300
    -50
    -115
    -220
    -420
    nA
    ìA
    nA
    集电极 - 发射极饱和电压*
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    =-10mA
    I
    C
    = -1A ，我
    B
    =-100mA
    V
    CE（
    SAT ）
    I
    C
    = -2A ，我
    B
    =-200mA
    I
    C
    = -4A ，我
    B
    =-400mA
    V
    BE （
    SAT ）I
    C
    = -4A ，我
    B
    =-400mA
    V
    BE （上
    ) I
    C
    = -4A ，V
    CE
    =-1V
    I
    C
    = -10mA ，V
    CE
    =-1V*
    I
    C
    = -1A ，V
    CE
    =-1V*
    100
    100
    50
    30
    V
    基射极饱和电压*
    基射极电压ON *
    -1010 -1170
    -925
    200
    200
    90
    50
    15
    125
    65
    110
    460
    300
    -1160
    V
    V
    静态正向电流传输*
    h
    FE
    I
    C
    = -3A ，V
    CE
    =-1V*
    I
    C
    = -4A ，V
    CE
    =-1V*
    I
    C
    = -10A ，V
    CE
    =-1V*
    过渡频率
    输出电容
    开启时间
    打开-O FF时间
    *脉冲测试： TP = 300 ; ð
    0.02.
    f
    T
    C
    敖包
    t
    （上）
    t
    （关闭）
    I
    C
    = -100mA ，V
    CE
    = -10V ， F = 50MHz的
    V
    CB
    = -10V ， F = 1MHz的
    I
    C
    = -2A ，V
    CC
    =-10V
    I
    B1
    =I
    B2
    =-200mA
    兆赫
    pF
    ns
    ns
    2
    www.kexin.com.cn

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