KSP92 参数 Datasheet PDF下载

型号：	KSP92
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内容描述：	P沟道增强型垂直的D- MOS晶体管 [P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 49 K
品牌：	KEXIN [ GUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD ]

SMD型

P沟道增强模式

垂直的D- MOS晶体管

KSP92

SOT-223

晶体管

单位：mm

+0.2

3.50

-0.2

.1max

+0.05

0.90

-0.05

特点

低阈值电压V

GS （ TH）

直接连接C-MOS ， TTL等。

高速开关

无二次击穿。

+0.2

6.50

-0.2

+0.1

3.00

-0.1

+0.2

0.90

-0.2

+0.3

7.00

-0.3

2.9

4.6

+0.1

0.70

-0.1

1门

2,4漏

3源

绝对最大额定值大= 25

参数

漏源电压

栅极 - 源极电压（漏极开路）

直流漏电流

峰值漏极电流

总功耗（最多至T

AMB

= 25 *)

存储温度范围

结温

从结点到环境*

符号

-V

GSO

-I

合计

英镑

日J-一

等级

240

180

720

1.5

-65到150

150

83.3

K / W

单位

*晶体管安装在一环氧树脂印刷电路板， 40X40 ×1.5毫米，

安装垫漏卡最低6厘米

+0.15

1.65

-0.15

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