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  • KGT0808C10-GL55图
  • 上海振基实业有限公司

     该会员已使用本站12年以上
  • KGT0808C10-GL55
  • 数量3076 
  • 厂家SamSung 
  • 封装原厂封装! 
  • 批号2016+ 
  • 全新原装现货/另有约30万种现货,欢迎来电!
  • QQ:330263063QQ:1985476892
  • 021-59159268 QQ:330263063QQ:1985476892
配单直通车
KGT15N120NDA产品参数
型号:KGT15N120NDA
生命周期:Not Recommended
零件包装代码:TO-3P
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:2
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.64
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):30 A
集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1
端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):420 ns
标称接通时间 (ton):80 ns
Base Number Matches:1
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