NPN S I L I C 0 NT· RA ñ S I S T Ø ř
K I
半导体
█
应用
.
C3198
通用和开关应用。
█
绝对最大额定值（T
a
=25℃）
T
英镑
--storage
..............................温度-55 〜 150 ℃
T
j
--Junction
Temperature…………………………………150℃
P
C
--Collector
Dissipation…………………………………400mW
V
CBO
--Collector -基地
Voltage………………………………60V
V
首席执行官
--Collector发射极
Voltage……………………………50V
V
EBO
--Emitter -基地
Voltage………………………………5V
I
C
--Collector
Current………………………………………150mA
IB - 基极电流...................................................... 50毫安
TO-92
1―Emitter，E
2―Collector，
C
3―Base，B
█
电气特性（T
a
=25℃）
符号
特征
集电极截止电流
民
典型值
最大
单位
测试条件
I
CBO
I
EBO
H
FE(1)
H
FE(2)
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
COB
NF
100
100
70
25
100
0.1
80
2.0
1.0
3.5
10
0.25
1.0
700
nA
nA
V
CB
= 60V ，我
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 6V ，我
C
=2mA
V
CE
= 6V ，我
C
=150mA
辐射源
截止电流
直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
电流增益带宽积
V
V
兆赫
pF
dB
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
V
CE
= 10V ，我
C
=1mA
V
CB
= 10V ，我
E
=0，f=1MHz
V
CE
= 6V ，我
C
=100μA
f=1KHz,Rg=10KΩ
输出电容
噪声系数
█
h
FE
分类
O
Y
120—240
GR
200—400
BL
350—700
70—140
KISEMICONDUCTOR [ Kwang Myoung I.S. CO.,LTD ]
